于徐佑来说，这些信息已经足够了。
在深度思考中，徐佑可以根据黄思白提供的信息，反推出更多有用的信息。
经过不断的模拟、计算、推演后，徐佑距离整套完善的EUV光刻机技术，已经越来越近了。
包括硅片的表面清洗烘干、涂底、旋转光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等等多道工序，不断在徐佑的脑海中重演着。
不知经历了多少次的推演，徐佑还是没有根据自己大脑中模拟的EUV光刻机，成功生产出合格的高精度芯片。
“不行……EUV光源的技术，还没有很好的解决。”
在EUV光刻机中，EUV光源无疑是最核心的设备。
想要让光刻机高效的工作，需要有足够亮的EUV光源才行。
在EUV光源方面，黄思白提供了一些技术，但并没有彻底的解决问题。
“等一下……极紫外辐射的光谱，似乎还有继续优化的空间！”
这时，徐佑突然注意到。
在正常的激光最佳聚焦位置下，入射激光能量和等离子体之间缺乏有效的耦合。
而其中的原因，是因为在最佳聚焦位置处，聚焦光斑尺寸较小，激光聚焦锥角也较小，等离子体吸收的能量会局限在中轴附近，影响等离子体对激光能量的吸收。
换句话说，所谓的“激光最佳聚焦位置”，很可能并不是EUV光谱强度最强的位置。
“如果调整一下聚焦光斑的尺寸……情况就会有所不同了。”
按照徐佑的理论，当聚焦光斑尺寸略微增大时，激光聚焦锥角也会跟着增大。
这样一来，激光能量会有效地分布在整个等离子体的前沿，等离子体可以有效地吸收激光能量，减少能量的损失。
当然，聚焦光斑尺寸不可以增大过多，否则的话，就会起到适得其反的效果了。
只是，虽然徐佑有了这些推论，但仅仅依靠自己的算力，是很难在有限的时间内，找到最佳的聚焦光斑尺寸的。
好在，徐佑可以依靠算经强大的算力，来大大提高自己的计算速度。
经过多次的计算，徐佑总算找到了EUV光谱强度最强的位置。
更换了新的EUV光源装置后，徐佑重新进行光刻机工作流程的推演。
正如徐佑所料想的一样，当光源的亮度大大增加后，光刻机的工作效率，也跟着提高了不少。
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