华兴集团公司在氮化镓器件上的技术一开始是来源于西门康公司的技术专利，一开始是做高功率的电气设备的器件，后来设立在鹰酱和欧洲的研发中心得到了一大批的功率器件的研发人员和技术专利，将硅器件上的技术移植到了氮化镓器件上面，所以很容易就推出了一大批的不同类型的器件，开始运用于很多领域。
对于消费者而言，除了氮化镓电源体积更小之外，没有任何上手和使用门槛。
华兴集团公司通过多年的摸索已经掌握了氮化镓的晶体管结构制备工艺，特别是氮化镓晶体管结构制备工艺比现有技术的硅器件还要少很多工艺处理步奏，器件的制备成本反而还要低一些。
氮化镓器件之成本最高的部分反而是在氮化镓材料本身上面，之前主要是氮化镓的高质量和大尺寸的籽晶培育出来需要两年多的时间。
华兴集团公司也是组织了技术团队实验新的技术方案，也是在中科院之前在研制超导体材料时用到的顶部籽晶熔融织构的方法中得到了灵感，采取了一种助熔剂法开始制备氮化镓籽晶和晶体的生产办法，通过了几百次的实验，绝大部分都是失败了，最后还是终于成功地培育出了高质量大尺寸的氮化镓籽晶，并且将籽晶的培育时间缩短到了只有一个多月的时间。
万子豪这次过来也是跟着杨杰对氮化镓材料研发中心的氮化镓单晶生产工厂进行了参观。
当他看到好几座巨大的籽晶生长炉后也是非常感兴趣，询问起这些生长炉的一些情况。
“之前我们在实验的时候发现气液界面处氮源首先达到过饱和，形成氮化镓多晶壳层，导致外部氮气在气液界面处被阻断，导致生长体系氮源供给中断，进而使生长体系中的氮化镓籽晶停止液相外延生长，另一方面另一方面消耗体系中金属镓源，我们想了很多办法，最后发现添加氮化碳作为添加剂材料后可以有效地抑制这种情况。”
陪同在一旁的佟建伟一脸自豪地说道，他是最早加入华兴集团公司的，现在已经成为了氮化镓材料研发中心的院长。
“这套生长炉是你们华兴集团公司自己设计的？”
万子豪问道。
“我们也是跟金山市中科院的硅酸盐研究院一起合作开发了这些设备，不过我们也是在这些设备上做了很多创新。”
佟建伟笑着说道：“这么一套生长炉一次性可以生长30根直径在25毫米的籽晶棒，可以拉制出120公斤的单晶棒，我们还在研发更大直径的籽晶棒，下一步拉
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