采用的光频率是紫外线频率，其对应的波长大约为360纳米。
也就是说，光刻机越先进，需要的光频率越高。
光的频率，它是一个物理客观存在的数值，是很难通过人为的手段去改变提高的。
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现在采用的是极深紫外线频率，很难再找到更高频率的光线，所以光刻机的水平也很难再被提升。
光刻机技术得不到提升，直接导致芯片的制造工艺得不到有效地提升，也让芯片的制造工艺不可能由14纳米、7纳米、5纳米、3纳米、2纳米这样一直小下去，它是有物理极限的。
另外，用光刻机制造芯片的原材料硅晶，也有他自身的材料极限。
硅晶的最小的单位“硅原子”直径大约为0.22纳米。
如今传统的芯片制造工艺，是不可能比硅原子还小，超过0.22纳米。这个也是它的一个物理极限。
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也就是说，传统的芯片制造工艺有两大极限。
谷菝一个是制造芯片需要的光刻机设备，光刻机采用光的频率，它是有物理极限的。
另一个是制造芯片需要的硅材料。芯片内部的晶体管，做得再小，是不可能比硅原子还小的，这也是它的物理极限。
这两个条件，任何一个达到极限，传统的芯片制造工艺就不可能再进步了。
也就代表，以光刻机和硅晶为原料的芯片制造技术，这条路走到了尽头。
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而以半导体纳米线为代表的新技术，相比传统的半导体技术，却没有这些限制。
它的极限，它的潜力，远不是如今的传统半导体技术所能相比的。
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不过，尽管知道半导体纳米技术才代表着未来，以英特尔为首的半导体企业，却在这方面，浅尝辄止，主要精力仍然放在传统的半导体制造技术上。
主要原因有两个，一是作为一项新技术，想要在半导体纳米线领域趟一条路，打造一个完整的体系，需要天量的资金，和极长的时间，去突破那些技术壁垒。
而且，短时间内很难商业化，用市场回笼资金去推进技术发展，只能用传统半导体技术产生利润给它输血。
根据目前的半导体纳米线技术，制造出来的芯片和半导体元器件，大概只有九十年代末的水平。
和目前传统工艺的半导体制造技术，根本没有可比性。
另一方面，以英特
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