石墨烯材料作为晶圆时必须要解决的一个重要难题。
对于这个难题，现实各国的做法是在石墨烯晶圆底下附加一层单晶硅或者碳化硅晶材。
从而做到实现带隙功能。
但这种方式有个较大的缺点，那就是无论使用单晶硅还是碳化硅晶材作为基底，都会影响芯片整体的运行效率。
不是哪一种材料都有石墨烯单晶这么高的载流子迁移率和热导率的。
即便是超高纯度的碳化硅晶材，在这两方面的效率都远低于石墨烯单晶材料。
后面韩元同样也要解决石墨烯单晶材料带隙的问题，他使用的方法，也是这种。
这条路，其实是对的，只不过各国并没有找到的合适的材料而已。
或者说，他们找到了适合的材料，但是做不到将那种材料作为基底附着在石墨烯单晶晶圆上。
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