仍然落后现在世界顶尖水平有一两代的差距。
没办法，虽然在控制系统等等这些软的方面，顾松提供了最优秀的方案。但是材料就是不过关，现有的工艺就是还不够。只能靠这台已经实现了飞跃式发展的机床，再迭代出更高端的机床，完全达到当初的预期设计目标。
因为人工智能谢茵然的下线，当初那份庞大的精密仪器及机械专项科研计划，做是都做完了，有不小的一部分，规格却没能达到当初预期的设计高度。
不过，这只是顾松的感觉而已。
殊不知，全国相关领域的科研院所和企业，这三年里感觉就在不停地过年。
而马上，就会到最终验收的时间点，那会是一场总结成绩和分果果的会议。06年的这个春节，很多人要过不好了。
廖青山终于收拾好了情绪，笑着说：“老板来了，要不要去厂房看看？”
顾松摆了摆手：“就是来看看你。你在这里盯着，我放心。”
廖青山陪他喝水，问道：“ISSCC是因为咱们的3D闪存邀请你过去？”
顾松笑呵呵地说：“是啊，04年投产的第一批3D闪存，咱们拿出来的是250纳米制程的，单颗芯片容量4G。虽然三星量产的2D芯片也是4G，但成本比咱们低。05年他们量产8G的，但咱们一下子翻了8倍到了32G，世界慌了嘛。”
廖青山感叹道：‘我现在才理解到，你当初把工艺已经储备到什么程度了。东芝现在好苦啊。咱们已经在做130纳米的了，8层存储单元加4层封装。东芝05年拿出来的，还是180纳米制程，3层存储单元2层封装。今年可以推进到12层存储单元加4层封装了，AT1100魔改一下再推进到65纳米的制程，东芝赶的速度没咱们突破的速度快！”
顾松嘿嘿地笑，当时按承诺，给东芝的是8寸晶圆，500纳米制程底下，2层存储单元加2层封装的工艺，本身他们消化完原始技术就花时间。要说起来，他们在制程工艺上的积累深厚，很快就推进到180纳米制程，但其他方面就慢了。
“全靠同行衬托！今年得把工艺提上去，成本降下来，优势就更大了。”
廖青山信心满满：“许总那边已经试产了这么久，牛总那边也把设备准备好了。春节期间这边改装调试好，明年3D闪存制程工艺大突破！”